晶圆暗裂光致发光（PL）成像

原创来源：北检院    发布时间：2025-06-13 06:52:59    点击数：

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信息概要

晶圆暗裂光致发光（PL）成像是一种先进的检测技术，用于识别晶圆中的暗裂、缺陷和应力分布。该技术通过激发晶圆材料产生光致发光信号，结合高灵敏度成像系统，实现对微观缺陷的无损检测。检测晶圆暗裂对于确保半导体器件的可靠性、性能和良率至关重要，尤其在高端芯片制造中，暗裂可能导致器件失效或性能下降。通过PL成像，可以早期发现潜在缺陷，优化生产工艺，降低废品率，提升产品质量。

检测项目

暗裂密度，暗裂长度，暗裂宽度，暗裂分布均匀性，晶格缺陷浓度，应力分布，发光强度，缺陷类型识别，载流子寿命，非辐射复合中心密度，表面粗糙度，晶体取向偏差，掺杂均匀性，缺陷簇大小，位错密度，晶界缺陷，杂质浓度，发光峰位偏移，缺陷深度分布，热应力影响

检测范围

硅晶圆，碳化硅晶圆，砷化镓晶圆，氮化镓晶圆，磷化铟晶圆，蓝宝石晶圆，SOI晶圆，锗晶圆，石英晶圆，化合物半导体晶圆，多晶硅晶圆，单晶硅晶圆，外延片，抛光片，退火片，离子注入片，光刻胶涂覆晶圆，金属化晶圆，薄膜沉积晶圆，蚀刻后晶圆

检测方法

光致发光光谱法：通过激发样品并分析其发光光谱，检测缺陷和应力。

共聚焦显微PL成像：结合共聚焦显微镜，实现高分辨率缺陷定位。

时间分辨PL：测量载流子寿命，分析非辐射复合中心。

低温PL测试：在低温下增强发光信号，提高缺陷检测灵敏度。

空间分辨PL：通过扫描样品表面，获得缺陷的空间分布信息。

偏振PL分析：利用偏振光检测晶体取向和应力各向异性。

多光子激发PL：通过多光子激发减少表面损伤，提高深层缺陷检测能力。

荧光寿命成像（FLIM）：结合时间相关单光子计数，量化缺陷浓度。

拉曼-PL联用：同时获取晶格振动和发光信息，综合分析缺陷。

高光谱PL成像：通过光谱分辨成像，识别不同缺陷类型的空间分布。

变温PL：分析温度依赖的发光特性，研究缺陷能级。

激发功率依赖PL：通过改变激发功率，区分缺陷类型。

瞬态PL：测量发光衰减动力学，研究载流子复合机制。

近场光学PL：突破衍射极限，实现纳米级缺陷检测。

同步辐射PL：利用同步辐射光源的高亮度，检测微弱缺陷信号。

检测仪器

光致发光成像系统，共聚焦显微镜，低温恒温器，光谱仪，时间相关单光子计数器，高灵敏度CCD相机，激光器，光学斩波器，锁相放大器，偏振器，拉曼光谱仪，高光谱成像仪，近场光学显微镜，同步辐射光源，电子倍增CCD

检测流程

1、确认客户委托，寄样。

2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议，进行试验。

5、完成试验，确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示：暂不接受个人委托测试

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