热氧化SiO界面态密度准静态C-V

原创来源：北检院发布时间：2025-06-13 14:53:31 点击数：

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信息概要

热氧化SiO界面态密度准静态C-V检测是一种用于评估半导体器件中二氧化硅(SiO₂)与硅(Si)界面缺陷的关键技术。该检测通过准静态电容-电压(C-V)测量方法，精确分析界面态密度(Dit)，为器件性能和可靠性提供重要依据。检测的重要性在于，界面态密度直接影响MOSFET等器件的阈值电压、迁移率和噪声特性，是半导体工艺质量控制的核心指标之一。第三方检测机构通过专业设备和技术，为客户提供准确、高效的检测服务，助力产品研发与生产优化。

检测项目

界面态密度(Dit),平带电压(Vfb),阈值电压(Vth),氧化层厚度(Tox),固定电荷密度(Qf),可动离子浓度(Na),界面陷阱时间常数(τit),高频C-V特性,低频C-V特性,准静态C-V斜率,能级分布(Eit),界面态捕获截面(σit),氧化层陷阱密度(Not),界面态填充率,界面态热激发能(Ea),栅极漏电流(Ig),衬底掺杂浓度(Nsub),界面态弛豫特性,氧化层击穿电压(Vbd),应力诱导界面态生成率

检测范围

热生长SiO₂/Si界面,干氧氧化SiO₂,湿氧氧化SiO₂,掺氯氧化SiO₂,掺氮氧化SiO₂,薄氧化层(<10nm),厚氧化层(>100nm),场氧化层,栅氧化层,STI隔离氧化层,高压器件氧化层,非晶SiO₂,热退火SiO₂,等离子体氧化SiO₂,快速热氧化SiO₂,超薄EOT氧化层,高k介质/SiO₂叠层,SOI衬底氧化层,多晶硅/SiO₂界面,金属栅/SiO₂界面