锗单晶

原创来源:北检院    发布时间:2025-01-08 19:44:42    点击数:

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GB/T 5238-2019

锗单晶和锗单晶片

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2019-06-04
  • 【CCS分类】H82元素半导体材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 5252-2020

锗单晶位错密度的测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2020-06-02
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

GB/T 26072-2010

太阳能电池用锗单晶

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2011-01-10
  • 【CCS分类】H82元素半导体材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 5238-2009

锗单晶和锗单晶片

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2009-10-30
  • 【CCS分类】H66稀有分散金属及其合金
  • 【ICS分类】77.120.99其他有色金属及其合金

GB/T 5238-2009e

锗单晶和锗单晶片

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2009-10-30
  • 【CCS分类】H66稀有分散金属及其合金
  • 【ICS分类】77.120.99其他有色金属及其合金

YS/T 1182-2016

锗单晶安全生产规范

  • 【发布单位或类别】 CN-YS行业标准-有色金属
  • 【发布日期】2016-07-11
  • 【CCS分类】H09卫生、安全、劳动保护
  • 【ICS分类】13.100职业安全、工业卫生

GB/T 26074-2010

锗单晶电阻率直流四探针测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2011-01-10
  • 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】77.040.99金属材料的其他试验方法

JB/T 12068-2014

TDR-Z直拉法锗单晶炉

  • 【发布单位或类别】 CN-JB行业标准-机械
  • 【发布日期】2014-07-14
  • 【CCS分类】K61工业电热设备
  • 【ICS分类】25.180.10电炉

GB/T 34481-2017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2017-10-14
  • 【CCS分类】H25金属化学性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

YS 783-2012

红外锗单晶单位产品能源消耗限额

  • 【发布单位或类别】 CN-YS行业标准-有色金属
  • 【发布日期】2012-05-24
  • 【CCS分类】H66稀有分散金属及其合金
  • 【ICS分类】77.120.99其他有色金属及其合金

GB/T 5238-1995

锗单晶

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1995-10-17
  • 【CCS分类】H81半金属
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 15713-1995

锗单晶片

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1995-10-17
  • 【CCS分类】H81半金属
  • 【ICS分类】29.040.20绝缘气体

GB/T 5252-2006

锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2006-07-18
  • 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合

GB 29447-2022

多晶硅和锗单位产品能源消耗限额

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2022-12-29
  • 【CCS分类】F01技术管理
  • 【ICS分类】27.010能源和热传导工程综合

SJ/T 10625-1995

锗单晶体中间隙氧含量的红外吸收测定方法

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1995-04-22
  • 【CCS分类】L90电子技术专用材料
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

GB/T 1551-1995

硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1995-04-18
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析

GB/T 1552-1995

硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1995-04-18
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析

SJ/Z 2655-1986

锗单晶缺陷图集

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1986-01-21
  • 【CCS分类】L90电子技术专用材料
  • 【ICS分类】金属材料试验

GB/T 5252-1985

锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1985-07-22
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040半导体材料

20240138-T-469

氮化铝单晶抛光片

  • 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
  • 【发布日期】2024-03-25
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】29.045

检测流程

1、确认客户委托,寄样。

2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议,进行试验。

5、完成试验,确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示:暂不接受个人委托测试

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实验室仪器

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