锗单晶和锗单晶片
原创来源:北检院 发布时间:2025-01-08 19:45:49 点击数:
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锗单晶和锗单晶片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2019-06-04
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【CCS分类】H82元素半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
锗单晶和锗单晶片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2009-10-30
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【CCS分类】H66稀有分散金属及其合金
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【ICS分类】77.120.99其他有色金属及其合金
锗单晶和锗单晶片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2009-10-30
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【CCS分类】H66稀有分散金属及其合金
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【ICS分类】77.120.99其他有色金属及其合金
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2017-10-14
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【CCS分类】H25金属化学性能试验方法
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【ICS分类】77.040金属材料试验
锗单晶片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1995-10-17
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【CCS分类】H81半金属
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【ICS分类】29.040.20绝缘气体
锗单晶位错密度的测试方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2020-06-02
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【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
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【ICS分类】77.040金属材料试验
太阳能电池用锗单晶
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2011-01-10
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【CCS分类】H82元素半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
锗单晶安全生产规范
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【发布单位或类别】 CN-YS行业标准-有色金属
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【发布日期】2016-07-11
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【CCS分类】H09卫生、安全、劳动保护
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【ICS分类】13.100职业安全、工业卫生
锗单晶电阻率直流四探针测量方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2011-01-10
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【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
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【ICS分类】77.040.99金属材料的其他试验方法
TDR-Z直拉法锗单晶炉
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【发布单位或类别】 CN-JB行业标准-机械
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【发布日期】2014-07-14
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【CCS分类】K61工业电热设备
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【ICS分类】25.180.10电炉
锗单晶
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1995-10-17
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【CCS分类】H81半金属
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【ICS分类】29.045半导体材料
红外锗单晶单位产品能源消耗限额
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【发布单位或类别】 CN-YS行业标准-有色金属
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【发布日期】2012-05-24
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【CCS分类】H66稀有分散金属及其合金
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【ICS分类】77.120.99其他有色金属及其合金
锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2006-07-18
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【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
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【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2014-07-24
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【CCS分类】H83化合物半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
锗单晶体中间隙氧含量的红外吸收测定方法
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【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
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【发布日期】1995-04-22
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【CCS分类】L90电子技术专用材料
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【ICS分类】77.040金属材料试验
硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1995-04-18
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【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
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【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
锗单晶缺陷图集
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【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
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【发布日期】1986-01-21
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【CCS分类】L90电子技术专用材料
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【ICS分类】金属材料化学分析
硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1995-04-18
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【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
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【ICS分类】77.040.30金属材料试验
锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1985-07-22
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【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
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【ICS分类】77.040其他有色金属及其合金
\u0413\u041e\u0421\u0422 16153-80
单晶锗 规格
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【发布单位或类别】 RU-GOST俄罗斯国家标准
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【发布日期】
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【CCS分类】H81半金属
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【ICS分类】77.120.99
检测流程
1、确认客户委托,寄样。
2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议,进行试验。
5、完成试验,确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示:暂不接受个人委托测试
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