高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
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高新技术企业
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
