硅基MEMS制造技术-版图设计基本规则
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CNAS认可证书
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高新技术企业
GB/T 28274-2012
硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2012-05-11
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 32814-2016
硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2016-08-29
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 28276-2012
硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2012-05-11
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 32815-2016
硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2016-08-29
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 28275-2012
硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2012-05-11
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 42896-2023
微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】L59微型组件
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 42895-2023
微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS微结构弯曲强度试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】L59微型组件
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 28277-2012
硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2012-05-11
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 32816-2016
硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2016-08-29
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 42897-2023
微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】L59微型组件
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
IEC 62047-47:2024
半导体器件.微机电器件.第47部分:硅基MEMS制造技术.微结构弯曲强度的测量方法
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2024-08-23
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
DIN EN 62047-25
半导体器件.微机电器件.第25部分:硅基MEMS制造技术.微键合区域拉压和剪切强度的测量方法（IEC 62047-25-2016）；德文版EN 62047-25:2016
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】2017-04-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】其他半导体分立器件
DIN EN 62047-25-DRAFT
文件草稿——半导体器件——微机电器件——第25部分:硅基MEMS制造技术——微键合区域拉压和剪切强度的测量方法（IEC 47F/183/CD:2014）
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】2014-05-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
IEC 62047-25:2016
半导体器件 - 微机电器件 - 第25部分:硅基存储器制造技术 - 微接合区域的拉压和剪切强度测量方法
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2016-08-29
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.99
