硅基MEMS制造技术-版图设计基本规则
原创来源:北检院 发布时间:2025-01-20 03:15:17 点击数:
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硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2012-05-11
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【CCS分类】L55微电路综合
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2016-08-29
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【CCS分类】L55微电路综合
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2012-05-11
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【CCS分类】L55微电路综合
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2016-08-29
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【CCS分类】L55微电路综合
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2012-05-11
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【CCS分类】L55微电路综合
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2023-08-06
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【CCS分类】L59微型组件
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS微结构弯曲强度试验方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2023-08-06
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【CCS分类】L59微型组件
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2012-05-11
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【CCS分类】L55微电路综合
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2016-08-29
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【CCS分类】L55微电路综合
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2023-08-06
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【CCS分类】L59微型组件
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
半导体器件.微机电器件.第47部分:硅基MEMS制造技术.微结构弯曲强度的测量方法
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【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
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【发布日期】2024-08-23
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【CCS分类】
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【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
半导体器件.微机电器件.第25部分:硅基MEMS制造技术.微键合区域拉压和剪切强度的测量方法(IEC 62047-25-2016);德文版EN 62047-25:2016
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【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
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【发布日期】2017-04-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】其他半导体分立器件
文件草稿——半导体器件——微机电器件——第25部分:硅基MEMS制造技术——微键合区域拉压和剪切强度的测量方法(IEC 47F/183/CD:2014)
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【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
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【发布日期】2014-05-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】
半导体器件 - 微机电器件 - 第25部分:硅基存储器制造技术 - 微接合区域的拉压和剪切强度测量方法
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【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
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【发布日期】2016-08-29
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【CCS分类】
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【ICS分类】31.080.99
检测流程
1、确认客户委托,寄样。
2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议,进行试验。
5、完成试验,确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示:暂不接受个人委托测试
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