硅的仪器中子活化分析测试方法
原创来源:北检院 发布时间:2025-01-25 20:40:42 点击数:
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硅的仪器中子活化分析测试方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2015-12-10
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【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
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【ICS分类】29.045半导体材料
中子活化分析法测定锑含量的标准试验方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2024-01-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】71.040.40化学分析
用中子活化分析(NAA)测定锑含量的方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2017-11-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】71.040.40化学分析
用中子活化分析(NAA)测定锑含量的方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2016-10-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】71.040.40化学分析
用中子活化分析法测定木材中碘和氯的标准方法
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【发布单位或类别】 UNKNOWN其他未分类
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【发布日期】2012-05-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】集成电路、微电子学
用中子活化分析法测定木材中碘和氯的标准方法
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【发布单位或类别】 UNKNOWN其他未分类
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【发布日期】
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【CCS分类】
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【ICS分类】集成电路、微电子学
使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2020-02-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2015-10-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2010-10-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2005-07-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2005-07-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2004-06-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2004-06-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】31.200
使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】1996-12-10
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【CCS分类】
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【ICS分类】31.200
检测流程
1、确认客户委托,寄样。
2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议,进行试验。
5、完成试验,确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示:暂不接受个人委托测试
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