硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
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高新技术企业
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 14141-1993
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1993-02-06
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F374-00a
用具有单一配置程序的直列四点探针对硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的片电阻的标准试验方法
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2000-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F374-02
使用具有单一配置步骤的在线四点探针的硅外延 扩散 多晶硅和离子注入层的片状电阻的标准测试方法（撤回2003）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
